英飞凌(Infineon)的 Si(硅基)、SiC(碳化硅)和 GaN(氮化镓) 功率器件的全球地位

发布于:2025-07-03 阅读:637

由于英飞凌(Infineon)的 Si(硅基)、SiC(碳化硅)和 GaN(氮化镓) 功率器件型号众多,且产品线持续更新,以下列出主流量产型号 及其关键特性分类。如需完整型号手册,建议访问 Infineon 官网 或联系官方代理  获取最新数据。

1. 硅基(Si)功率器件

1.1 IGBT 模块

系列代表料号电压/电流特点应用领域
EconoDUAL™ 3FF600R12ME41200V/600A低Vce(sat)工业电机驱动
HybridPACK™ 1FS800R07A2E3750V/800A汽车级电动车逆变器
PrimePACK™FF1800R17IP51700V/1800A高功率密度风电/轨道交通

1.2 分立式 MOSFET

系列代表料号电压/电流Rds(on)开关频率
CoolMOS™ P7IPP65R1K2P71200V/65A12mΩ≤150kHz
OptiMOS™ 6BSC014N06NS60V/140A1.4mΩ≤1MHz
StrongIRFET™IRF7749L1150V/120A7.7mΩ≤500kHz

2. 碳化硅(SiC)功率器件

2.1 SiC MOSFET 模块

系列代表料号电压/电流特点应用领域
CoolSiC™ Easy 1BFF6MR12W2M1P_B111200V/6mΩ低开关损耗光伏逆变器
HybridPACK™ DriveFS820R08A6P3B820V/820A汽车级ASIL-D电动车主驱
XHP™ 2IM828-XCC1200V/800A双面冷却工业电源

2.2 分立式 SiC MOSFET

系列代表料号电压/电流Rds(on)开关频率
CoolSiC™ G6IMZ120R030M1H1200V/120A30mΩ≤500kHz
CoolSiC™ S6IDW30G120C51200V/30A120mΩ≤300kHz

2.3 SiC 二极管

系列代表料号电压/电流Trr
CoolSiC™ SchottkyIDH20G120C51200V/20A0ns

3. 氮化镓(GaN)功率器件

3.1 分立式 GaN HEMT

系列代表料号电压/电流Rds(on)开关频率
CoolGaN™ 600VIGT60R070D1600V/60A70mΩ≤1MHz
CoolGaN™ 100VIGOT60R070D1100V/60A7mΩ≤5MHz

3.2 GaN 集成模块

系列代表料号电压/功率特点
GaN EZ-PD™CYPDC1165-24LQXQ24V/65WUSB PD 3.1快充

4. 选型对比总结

参数SiSiCGaN
最佳电压范围<1700V600V-3300V100V-650V
效率优势92-95%96-99%95-98%
成本($/A)0.02-0.050.15-0.300.10-0.20
主流供应商Infineon/STWolfspeed/ROHMNavitas/EPC


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标签: 英飞凌

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